存儲(chǔ)漲價(jià)引領(lǐng)周期,國(guó)產(chǎn)突破與外部約束并存
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2026-02-06
2026年2月,全球芯片行業(yè)聚焦存儲(chǔ)芯片供需失衡、巨頭業(yè)績(jī)波動(dòng)及技術(shù)迭代,同時(shí)國(guó)產(chǎn)芯片持續(xù)突破,地緣政治影響仍在延續(xù),行業(yè)呈現(xiàn)“挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存”的格局。
存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,短缺與漲價(jià)成為核心關(guān)鍵詞。2月1日,三星電子率先宣布大幅上調(diào)NAND閃存芯片價(jià)格,漲幅高達(dá)100%,正式開(kāi)啟存儲(chǔ)芯片新一輪超級(jí)周期,美光、鎧俠等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭計(jì)劃跟進(jìn)提價(jià)。英特爾CEO陳立武更是在思科會(huì)議上表示,內(nèi)存芯片短缺問(wèn)題至少到2028年前不會(huì)緩解,目前尚無(wú)有效緩解措施,這一判斷較此前市場(chǎng)預(yù)期延后2-3年,凸顯本輪供需失衡的嚴(yán)重性。受此影響,全球手機(jī)廠商面臨成本壓力,紛紛削減訂單,進(jìn)一步傳導(dǎo)至芯片巨頭業(yè)績(jī)。
芯片巨頭方面,美股財(cái)報(bào)季傳來(lái)利空消息。2月5日,美國(guó)芯片巨頭高通在美股盤(pán)前交易中股價(jià)一度暴跌超12%,截至發(fā)稿跌幅仍達(dá)11.18%,核心原因是其發(fā)布的2026財(cái)年第二財(cái)季業(yè)績(jī)指引不及市場(chǎng)預(yù)期,手機(jī)芯片收入指引降至60億美元。高通高管解釋?zhuān)珹I數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)需求的抬升,擠壓了手機(jī)廠商的供給與成本空間,多家廠商已減少手機(jī)生產(chǎn)計(jì)劃并清理渠道庫(kù)存,這種影響可能貫穿本財(cái)年剩余時(shí)間。同日,英國(guó)芯片設(shè)計(jì)巨頭Arm股價(jià)亦一度大跌超8%,盡管其第三財(cái)季營(yíng)收略超預(yù)期,但作為未來(lái)設(shè)計(jì)采用率關(guān)鍵指標(biāo)的許可收入不及預(yù)期,引發(fā)市場(chǎng)拋售。此外,功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌于2月5日宣布,自2026年4月1日起上調(diào)功率開(kāi)關(guān)及相關(guān)芯片價(jià)格,應(yīng)對(duì)供給緊張與成本攀升壓力。
技術(shù)迭代與產(chǎn)能布局同步推進(jìn)。2月1日,英偉達(dá)在GTC 2026特別活動(dòng)中發(fā)布新一代HBM3e內(nèi)存芯片,單顆容量達(dá)64GB,帶寬提升40%至1.2TB/s,功耗降低25%,適用于AI訓(xùn)練與高性能計(jì)算場(chǎng)景,并計(jì)劃與臺(tái)積電合作擴(kuò)大產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2026年Q3批量出貨。英特爾則宣布投資400億美元在美國(guó)擴(kuò)建晶圓廠,聚焦2nm及更先進(jìn)制程,預(yù)計(jì)2028年全面投產(chǎn),同時(shí)與美光合作研發(fā)2nm級(jí)內(nèi)存與邏輯芯片集成技術(shù),提升本土制造能力。此外,英特爾計(jì)劃與軟銀旗下子公司Saimemory合作,開(kāi)發(fā)名為ZAM的下一代內(nèi)存新技術(shù),單芯片最高容量可達(dá)512GB,功耗較當(dāng)前主流HBM內(nèi)存降低40%至50%,有望重塑AI時(shí)代內(nèi)存市場(chǎng)格局。臺(tái)積電方面,計(jì)劃在日本熊本建設(shè)第二座工廠,量產(chǎn)3納米芯片,滿足AI芯片激增的需求,投資額約170億美元,同時(shí)宣布2026年繼續(xù)提升7納米以下先進(jìn)制程報(bào)價(jià),漲幅預(yù)計(jì)達(dá)3%-10%,這是其連續(xù)第四年漲價(jià)。
國(guó)產(chǎn)芯片領(lǐng)域持續(xù)突破,同時(shí)面臨外部約束。1月30日,芯動(dòng)科技發(fā)布全球首款120通道PCIe Gen5交換芯片GX9120,采用12nm工藝制造,帶寬達(dá)3.84TB/s,打破海外壟斷,已獲得多家頭部服務(wù)器廠商訂單。同日,阿里平頭哥真武PPU芯片總出貨量超數(shù)十萬(wàn)片,領(lǐng)跑?chē)?guó)產(chǎn)GPU市場(chǎng),該芯片性能對(duì)標(biāo)英偉達(dá)H20,已服務(wù)400多家頭部客戶(hù)。瀾起科技于1月30日開(kāi)啟港股招股,擬募資加碼HBM內(nèi)存接口芯片與AI芯片業(yè)務(wù),實(shí)現(xiàn)“A+H”上市布局,其DDR5內(nèi)存緩沖器芯片市占率超40%。此外,國(guó)科微、中微半導(dǎo)等國(guó)產(chǎn)芯片廠商密集漲價(jià),應(yīng)對(duì)供應(yīng)缺口與成本壓力,其中國(guó)科微合封KGD芯片最高漲幅達(dá)80%。但外部約束仍存,1月31日,美國(guó)商務(wù)部擴(kuò)大AI芯片出口管制,將3家中國(guó)AI芯片設(shè)計(jì)企業(yè)列入實(shí)體清單,限制其獲取先進(jìn)制程與關(guān)鍵技術(shù),同時(shí)英偉達(dá)H200芯片對(duì)華銷(xiāo)售因美方安全審查陷入停滯,增加行業(yè)不確定性。
